以前，要從音頻放大器中獲得高質(zhì)量的音質(zhì)，還需要花費數(shù)千美元，而且還依賴于大體積、笨重、大功耗的A類放大器�，F(xiàn)在，GaN FET和GaN IC的出現(xiàn)迎來了高質(zhì)量、低成本D類音頻放大器的時代。
使用GaN降低失真性能的問題
從歷史上看，為了滿足高質(zhì)量音效所需的失真性能目標(biāo)（THD+N、TIM 和 IM），D類放大器必須采用集成大量反饋電路來補償較差的開環(huán)性能。這種失真的來源是硅功率MOSFET。
D類放大器的處理器產(chǎn)生代表音頻信號的高頻脈寬調(diào)制 (PWM) 小信號。在半橋或全橋配置中，功率晶體管將小信號轉(zhuǎn)換為大信號，并通過濾波器來驅(qū)動揚聲器。由于每個脈沖都是方波，增大頻率可以更好地表示音頻信號。在每個開關(guān)周期中，電源會通過開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗來耗散，從而在音質(zhì)、工作頻率和功耗之間進行平衡。
D類放大器的功率級目標(biāo)是實現(xiàn)小信號源的精確大信號復(fù)制，同時減少熱量耗散�；贕aN的FET和IC更優(yōu)異的開關(guān)和熱性能產(chǎn)生的波形比硅MOSFET所能達(dá)到的波形更接近所需的理想波形。
Premium Audio公司采用GaN技術(shù)的D類放大器提供高于A類放大器設(shè)計的音質(zhì)
GaN技術(shù)使消費者能夠享受到D放大器類優(yōu)于A類放大器音質(zhì)的好處。越來越多的制造商正在發(fā)布基于氮化鎵的設(shè)計。Premium Audio公司的產(chǎn)品Mini GaN 5是一款雙通道氮化鎵的平衡音頻功率放大器。該放大器的每通道功率為200W RMS（8歐姆）。 Mini GaN 5還可以驅(qū)動4歐姆甚至2歐姆的揚聲器。盡管它的尺寸很�。�9 ¾”寬，7”長，1 ¾”高度），但音質(zhì)令人印象深刻。 THD+N約為0.006%，增益：低增益=26dB，中增益=28dB，高增益=32dB。
EPC的eGaN FET提供優(yōu)異性能和高可靠性
Premium Audio公司的擁有者和首席設(shè)計師Tom Rost為其基于GaN的放大器選擇了EPC的eGaN® FET，因為eGaN® FET具有優(yōu)異的性能和高可靠性。Tom Rost表示，“EPC的氮化鎵產(chǎn)品使Premium Audio公司的GaN放大器能夠提供獨一無二的聆聽體驗。而且，eGaN FET不僅提供了令人難以置信的性能，而且在發(fā)燒友級放大器中實現(xiàn)了最優(yōu)的性價比�！�
氮化鎵FET和集成芯片開啟了高質(zhì)量、低成本D類音頻放大器的時代——提供比A類放大器更優(yōu)的音質(zhì)和更低的成本。GaN FET和集成芯片的卓越開關(guān)性能可提供接近理想的波形，從而實現(xiàn)比硅MOSFET更低的失真和更優(yōu)的音質(zhì)。這種性能預(yù)示著高品質(zhì)、價格合理的D類音頻放大器進入了一個新時代，將發(fā)燒級品質(zhì)的放大器帶入消費類和汽車應(yīng)用。 |
